Корчуганов А.В. Крыжевич Д.С. Зольников К.П. Псахье С.Г.Влияние дефектов структуры на отклик ОЦК-железа при наноиндентированииДокладчик: Корчуганов А.В.
Проведено молекулярно-динамическое моделирование отклика кристаллитов железа с ОЦК решеткой при наноиндентировании. Межатомное взаимодействие описывалось многочастичными потенциалами, полученными в приближении Финниса-Синклера. Нагружение образцов осуществлялось индентором в форме цилиндра. Скорость индентирования составляла 1 м/с, радиус индентора – 10 А. Расчеты проводились при температуре 300 К. Моделируемые образцы имели форму параллелепипеда. В качестве индентора использовалось внешнее отталкивающее поле. Ось индентора была направлена параллельно нагружаемой поверхности кристаллитов. В направлении оси индентора моделировались периодические граничные условия. Нагружаемая грань задавалась как свободная поверхность, в то время как нескольким атомным слоям противоположной к ней грани кристаллита запрещалось смещаться в направлении индентирования. Боковые грани кристаллитов моделировались как свободные поверхности. Для идентификации атомов, вовлеченных в формирование локальных структурных изменений при нагружении кристаллитов, использовался приведенный вектор смещений. Влияние поверхностей раздела на отклик материала при наноиндентировании изучалось на примере образца с межзеренной границей.
К списку докладов |